第93章 最誤打誤撞的一集

科技入侵現代 第93章 最誤打誤撞的一集

“我們的實驗室產能已經能夠做到6N了，如果我們能夠達成合作，我們有把握在一年以內把量產的產能做到7N。”

量產7N什么概念。

蘇俄也沒這技術。

東德現在還在4N朝著5N爬行呢。

華國方面不太清楚，但東德他們有所了解。

德州儀器首批商用邏輯芯片，用的也就是6N到7N之間。

房間里口水吞咽的聲音顯得格外清晰。

相當于直接就趕超了硅谷當前最新水平。

“黃博士，您說的是真的嗎？”魏斯的聲音有些干澀。

穆勒放在桌下的手都已經捏緊了。

黃昆這時候顯示出了強大的自信：“當然。

你們應該很清楚華國在工業基礎上的薄弱，和東德之間的差距吧。

我們只能用簡易的CZ法去拉單晶硅都能做到5N，這可是建立在取法高精度的坩堝材料和提純設備基礎上。

東德的工業基礎比我們要好得多，也只能做到4N。

我們目前圍繞7N的技術路線已經非常清晰，只是受限于材料和設備的短缺，導致我們無法朝著這個目標前進。”

魏斯看了眼穆勒，穆勒知道這時候該自己發言了：“黃博士，能詳細給我們介紹一下你們的技術路線嗎？”

黃昆起身站到早就準備好的黑板前：

“不知道你們聽過離子注入技術嗎？”

穆勒和魏斯回答道：“知道。”

黃昆接著說：“那就好，這一技術是半導體制造中用于在純硅晶圓上引入摻雜劑的關鍵工藝，主要用于改變硅的電學性能。

也是硅谷那邊提出來的概念技術。

我們已經完成了離子注入所有涉及到的植入分布的數據預測，包括了離子與晶格的碰撞、核阻止和電子阻止帶來的能量損失、缺陷形成和擴散等。”

“不可能！”魏斯忍不住了。

也就是因為黃昆確實是晶格動力學領域的奠基人之一，不然他得說你在騙我們了。

正是因為他們都是熟知半導體工藝的科學家加工程師，所以他們才知道這難度有多大。

一般半導體的制造流程，都是邊生產邊調試。

現在華國人和你說，我們在數學層面已經完成模擬了，甚至還模擬出來了不錯的結果。

這有點超出他們認知了。

“黃博士，我不是質疑你的能力，而是這聽上去有些太過于不可思議了。

這就好比我們都在探索一片森林，你們明明沒有出發，卻告訴我們，我們已經看到了整個森林的全貌一樣，只需要我們借給你一些道具，你們就能夠成功探索完整個森林。

博士，你懂我的意思嗎，這太不可思議了。

離子注入我有了解，我們也有做一些理論上的研究，它涉及到如此復雜的物理過程，很難想象，它能夠靠計算把它給算出來。”

黃昆心想，是啊，如果沒有樹莓派我也不敢相信我們做到了，“不管你信不信，事實就是如此。

不然我們也不敢說一年時間能夠突破到7N。”

黃昆沒敢說，我們能夠看到森林全貌是因為我們有衛星，衛星已經把森林掃了一遍。

黃昆接著說道：“我后續可以給你一部分的數據和數學模型，你們可以回去驗證，看我說的是不是對的。

好了接著說，因為離子注入對硅的純度有要求，現在5N的硅肯定無法滿足離子注入的要求。

我們至少要把硅的純度再提高一個量級。

這不僅僅是收音機這一個產品，功率器件和低噪聲晶體管用高純度硅能有更好的表現，也是我們在做其他半導體元器件的時候，基于離子注入的高純度硅能有好得多的表現。

所以在硅提純方面，我們需要在提純設備和檢測手段上進行合作。

同樣的，在晶體生長精度上我們能夠給東德提供幫助。”

這里的晶體生長控制，依賴的是溫度梯度控制和摻雜劑添加，為的是確保晶圓的均勻和穩定，華國在這方面有著天然的優勢。

“而一旦能夠造出高純度的硅，我們就能進行下一步的離子注入。

在離子注入上，我們缺乏離子植入機、高精度加速器、穩定離子源、高真空系統和質量分析器，缺乏高溫退火設備和電學測試能力缺失。

而我們的優勢是元器件設計、計算模擬和物理模型的構建。

我們和有著天然合作的基礎。”

黃昆說完后，魏斯想了想：“黃博士，你說的那些是虛的，我們要提供的是實際的設備。

而且你剛才所說的那些設備里，很多我們也沒有。”

黃昆說：“我知道，但以東德的工業基礎，這些東西我們負責設計，你們負責生產，我們是能造出來投入使用的。

你們也被限制，無法獲取半導體工業制造的離子植入機。

但我們可以提供設計上的幫助，去構建高精度、穩定且適用于半導體制造的設備。”

華國在材料學上太過于孱弱，導致空有樹莓派，就像一個武林高手空有招數，而沒有內力一樣尷尬。

不僅僅是樹莓派，包括華國的科學家們在理論上的內功是非常扎實的，又有一整個華國內陸市場，造出來的半導體元器件能夠消化掉。

而東德則空有內力沒有招數。

他們缺乏市場，蘇俄給他們的定位又不是造半導體，所以壓根沒有多少資源投入到半導體產業中來。

他們空有一定的半導體器件設計能力，但制造生態不成熟，缺乏完整的產業鏈支持，無法實現從設計到量產的閉環。

也正因如此，華國方面天然希望和東德圍繞此事達成合作，用東德的內力來培養自己的實力。

“黃博士，你說的很美好，但現在的問題是，我們如何能夠相信你們？”

黃昆從自己的公文包里抽出一份文件：“這是一份關于離子注入全過程模擬的論文，你們可以回去看看，這篇論文足夠展示我們的能力。”

如果說和李志強聊的內容都是空話，一點進展都沒有的話，那么和黃昆聊的就屬于干貨太多。

里面很多內容，即便是資深從業人士，也無法判斷真假。

魏斯和穆勒二人覺得很有收獲，但這收獲到底價值幾何，他們無法判斷。

“黃博士，我們回柏林之后一定認真研究您的這篇論文，后續非常期待和華國方面能夠達成合作。”

黃昆看著對方離去的背影，內心希望能夠不受zz環境的影響，和東德達成合作。

阿美莉卡給的壓迫太足了，足到他們不得不把這種關于離子注入的部分研究結果掏出來，希望借此獲得和東德的合作。

如果不是阿美莉卡，他們其實完全不介意慢慢研發，慢慢爬科技樹。

東德科學院的一間會議室內，氣氛嚴肅而專注。

穆勒和漢斯眼前坐著的是赫爾曼教授，負責科研項目決策的專家，除了赫爾曼之外還有馬爾蒂斯·法爾特，他是東德半導體的核心人物。

他正坐在桌前，手中拿著一篇剛剛從中國傳來的論文。

他的眉頭緊鎖，眼中閃爍著震驚與興奮交織的光芒。

法爾特深吸一口氣，緩緩開口，聲音中透露出難以掩飾的激動：

“和黃所說的一樣，他們構建的這套理論，描述了離子在固體中分布和停留，完全可以看作是這個領域的標準模型。

它描述了高能離子束轟擊硅晶體時，離子在材料中的分布規律。理論的核心是離子能量損失的兩種機制，也就是核阻止和電子阻止。

黃通過求傳輸方程，給出了離子在材料中的深度分布，它認為這樣的分布近似于高斯分布。

哦天哪！他甚至還根據離子種類和能量，試圖去精確計算離子平均的穿透深度和分布的方差。”

法爾特的手指在論文上劃過，指向一幅高斯分布曲線，

“你們看這里，他們展示了摻雜劑在硅晶體中的深度分布，并用霍爾效應測量驗證了結果，模擬與實驗數據高度吻合。

只是受限于實驗設備，他們的實驗做的比較粗糙，最終離子注入的效果也不夠好。

但他們的實驗結果雖然不好，但實驗結果和計算模擬的結果非常吻合！

不愧是黃，在理論物理上的造詣，有著大師級水準。”

赫爾曼問道：“法爾特教授，有沒有可能華國人偽造了實驗數據？”

法爾特搖頭道：“沒有必要，因為實驗我們能夠復現。

他們用來模擬的實驗結果用的就是基礎設備，又不是二次離子質譜技術。

總之如果快的話，我們這幾天就能模擬一個結果出來，看和華國的模型結果是否一致。

如果驗證成功的話，那么可以證明華國在理論基礎、模型構建和模擬計算上確實有自己的一套。”

赫爾曼問道：“所以，法爾特教授，您的意思是我們應該要和華國合作？”

法爾特點頭：“當然。”

東德的德累斯頓將在未來慢慢成長為整個蘇俄陣營的微電子和半導體工業中心。

在八十年底的時候，擁有超過四萬名雇員。

而其中最大的企業是生產DRAM，也就是存儲芯片的ZMDI。

東德ZMDU61000，1Mb存儲量，CMOS工藝，東德冷戰末期生產的最高端內存芯片。

什么水平，大致和日立、NEC1984年同等水平。

不能算強，但絕不算弱。

而現在，得益于OGAS計劃，東德已經提前往半導體領域投入資源了。

如果不是因為這個原因，他們壓根不可能會派魏斯和穆勒前往華國，只為確認華國的技術到底到了哪個地步。

因為如果不是對半導體空前重視，華國在蘇俄陣營的工業版圖里確實排不上號。

華國掌握的是一部分釋經權，以及農業和軍事，它的定位不是工業國，此時的蘇俄也不希望華國成為工業國。

如果華國在工業技術上達到和東德一個水平，恐怕蘇俄要夜不能寐了。

片刻后法爾特接著說道：“華國同行們繪制了離子深度分布曲線，并且展示了他們的理論和實驗高度一致。

我認為我們應該推動合作。”

赫爾曼聽完后點頭道：“我會去推動此事的，不過你們別報太大期望。

畢竟華國同行們想要合作的技術里，離子注入相關設備還是過于敏感，你們知道的。”

在座各位面面相覷。

大家都是知識分子，看報紙屬于是每日例行任務了。

自然知道，此時華國正在研發原子彈。

而離子注入相關技術又包括了大量離子相關設備，也許和核武器無關，但誰又能保證，華國不會將其運用到核武器研發中呢？

“教授，你是說核武器研發？”

“沒錯。”

法爾特辯解道：“離子注入所需的精密設備和核武器無關啊。

核武器研發的目標是實現核裂變或聚變反應，涉及極高的能量和大規模設施，而離子注入專注于微觀尺度的半導體摻雜，能量需求和設備規模差異顯著！

他們壓根就不是一回事。”

作為東德半導體的負責人，法爾特非常迫切希望能夠推動和華國的合作，因為他從中看到了東德半導體迅速發展的曙光。

赫爾曼伸出手往下壓，示意法爾特冷靜：“我知道，我當然知道。

但問題是，我們得說服米特區的官僚們，他們還得去說服克里姆林宮的官僚們，我們和華國的合作是半導體領域的，是純技術的，和核武器無關。

可問題在于，哪怕是半導體技術，它也能用到導彈的控制系統上。

這些都是我們和華國開展合作的阻礙！”

東柏林的科技與科學部大樓

桌子一側坐著赫爾曼，對面是弗里德里希·施密特，負責國際科學合作的高級官員，他的表情一如既往地冷靜。

弗里德里希看著報告，低聲說道：“不可思議。華國的半導體物理研究已經達到了這樣的高度，他們的理論居然能夠達到這個程度。”他的語氣中帶著一絲敬佩。

赫爾曼雙手交叉，沉聲道：“確實令人印象深刻，弗里德里希同志。”

弗里德里希謹慎道：“但我們必須小心。半導體技術不僅關乎科學。一個錯誤的決定，可能帶來無法承受的后果。”

赫爾曼點頭道：“您說得對。他們的技術令人嘆服，但軍事應用的潛力不容忽視。如果我們涉足太深，可能會暴露自己的弱點。不過，我認為這里有一個機會，我們可以選擇一個有限的領域合作，比如光學。”

“光學？”弗里德里希挑了挑眉，眼中閃過一絲思索的光芒，“說下去。”

赫爾曼傾身向前，語氣變得堅定：“光學領域可以充分利用他們的高精度模擬技術，而不至于觸及半導體核心和核武器有關的敏感部分。

我們可以提議合作研發光學儀器。這既能讓我們學習他們的方法，又能將合作范圍控制在安全邊界內。

加上半導體需要用到光學的領域有很多，我們在光學領域有著獨到的優勢，華國人想必會對此滿意的。”

弗里德里希嘴角微微上揚，露出一抹罕見的笑意：“聰明。這是個可行的折中方案。光學有戰略價值，但不會直接威脅到克里姆林宮的安全底線。”

兩人對視一眼，彼此心領神會。

弗里德里希拿起一支鋼筆，手指在紙上飛快地寫下筆記：“我們需要起草一份提案，提交給上級。合作限定在光學領域，明確邊界。可以強調雙方的互利。”

他腦中已開始盤算政治層面的影響。這不僅能拉近與華國的關系，還能在不激怒盟友的前提下提升東德的技術水平，他暗自思忖。

“提案中要突出非軍事用途，”弗里德里希喃喃自語道，聲音小但卻帶著不容置疑，“避免任何誤解。”

“當然。我們將其定位為純粹的科學合作，為了兩國科技的共同進步。”

這對華國來說也算是達到了目的的一半。

光刻技術起源于1950年代，最初用于制造晶體管和簡單半導體器件。1957年，德州儀器就開始將光刻技術應用于硅晶圓，取代了手工掩模和化學蝕刻的低效方法。

但此時的華國沒有商用光刻機，只能依賴簡易的實驗性曝光設備。

光刻膠、蝕刻液和掩模材料這些自己有產能，能造，無非是好用不好用的區別。

但曝光光源和光學鏡頭這兩塊，華國壓根沒辦法獲取。

因此東德把合作領域限制在光學，由大名鼎鼎的蔡司牽頭的時候，黃昆和錢院長匯報道：

“東德果然還是上鉤了。”