第三百八十三章 給每一根頭發取了名字

我的老師是學霸 第三百八十三章 給每一根頭發取了名字

第三百八十三章

下午，顧律陪著陳默來到物理學院的凝聚態物理與材料物理研究所。

與數學學院只有一個燕大數學研究所不同。

燕大的物理學院下轄的研究所不止一個。

加上十年前剛剛成立的等離子體和核聚變研究所的話，燕大物理學院下轄的研究所一共有五個。

顧律和陳默目前去的凝聚態物理與材料物理研究所，便是其中之一。

該研究所創立與千禧年初，是由原物理系7個專業中的5個（半導體，磁學，低溫物理，固體結構，固體能譜）合并而來。

因此，該研究所被分為五個不同的研究中心。

顧律帶著陳默來到凝聚態物理與材料物理研究所的半導體研究中心辦公室。

一位研究員助理在門口等候著。

見到顧律領著陳默出現在樓梯口，客氣的迎了上去。

“是顧教授嗎？”

“是我，我和張主任打過招呼。”顧律點頭淡笑。

在陪西蒙吃午飯的時候，顧律和半導體研究中心的張主任打了招呼，說了下午要來這邊一趟。

“張主任正在辦公室里等著呢，顧教授，我帶你們去見他。”

在研究中心的主任辦公室，顧律見到了戴著一副老花鏡的張主任。

張主任全名張維國，目前是該研究所半導體研究中心的老大。

張主任和顧律的師兄包松全是差不多的年紀，是國內半導體物理領域的幾位大牛之一，有著沖擊中科院院士的實力。

顧律和張主任算是認識。

因為在顧律還在讀本科的時候，張主任是物理學院《固體物理》這門課程的授課老師。

顧律經常去蹭張主任的這門課。

一來二去，張主任就記住了顧律。

辦公室內，張主任正皺著眉頭低頭看一份資料。

聽到推門聲響，張主任抬頭，視線落在顧律身上。

“顧律，幾年不見，你這是越長越帥氣了啊！”張主任起身，笑呵呵的走到顧律面前。

顧律和張主任握握手，客氣的開口，“張主任這幾年一點都不見老！”

“嗨，你就別在這里逗我開心了，我自己啥樣我自己還不清楚嗎。”張主任摸摸自己禿的沒剩下幾根頭發的腦袋，長吁短嘆，“想當年，我那一頭茂密的黑發，到現在就只剩下這幾根了。”

想當年，自己雖然只是一個普通的燕大教授，但起碼有著一頭茂密的黑發，惹得無數人羨慕。

現在，他雖然職位提升的，但也變禿了。

這就是變強的代價！

張主任摸了摸腦袋，攤開掌心，一根落發靜靜的躺在上面。

張主任掏出一面小鏡子照了一下自己那馬山就要變得锃光瓦亮的腦袋，嘆口氣，“唉，我的小十一走了。”

說完，張主任小心翼翼的打開一個裝滿不少根落發的盒子，將這根落發放進去。

“小十一，你就和你的哥哥姐姐們安眠在此地吧。”

顧律：“？？？”

這是在干啥？

幸好旁邊的研究員助理給顧律解惑。

“張主任在不久前，給他頭上的每一根頭發都取了名字。據說剛取完不久，阿大阿二阿三就全掉了，讓張主任傷心了好久。”

顧律：“……”

那這樣說起來，張主任倒還真的挺可憐的。

顧律記得自己讀本科的時候，張主任每次上課的時候都把頭發梳的一絲不茍的。

但現在，張主任的家里沒有一把梳子了。

顧律倒是想兌換一瓶防脫發藥劑給張主任用。

但防脫發藥劑是防脫發，又不是可以生發。

對張主任來說應該沒啥用。

算了，禿了就禿了吧。

起碼，身為一個科研人員，禿頭的總是讓外人看著更吊一些！

“張主任，我這位學生正在弄一個關于寬禁帶半導體的畢業課題，所以需要借用一下你們研究中心這邊的材料和設備。”顧律說出此行的目的。

“這個沒問題。”張主任笑呵呵的一口應下來，“在非工作的時間內，那些儀器大部分是不工作的，你直接過來用就可以了。還有材料，寬緊帶半導體材料又不是多金貴，你敞開了用！”

顧律用眼神示意一下陳默。

陳默立刻會意，激動的語氣感謝道，“謝謝張主任。”

張主任笑呵呵的點點頭，“不過話說回來，顧律你不是剛獲得了博導資格嗎，這是收了一個博二博三的學生？”

張主任視線落在陳默身上。

“不是的，張主任。”顧律笑著搖搖頭，“陳默是今年剛讀的博士，只不過我希望他們先把博士畢業論文弄出來，然后在跟著我或者去一些研究機構深造。”

“博一就弄畢業論文，顧律，你對你的學生要求倒是挺苛刻的。”張主任聽后有些咂舌。

“不苛刻！”顧律還未開口，陳默倒是一臉認真表情的開口，“一點都不苛刻，我認為顧老師的安排很好，可以充分鍛煉我們的能力，錘煉我們的意志，磨煉我們的精神！”

顧律抽了抽嘴角。

張主任倒是聽了后挺樂呵的，“這小子……”

“行了，我們直接去實驗室那邊看看吧，順便教教你這位學生怎么操作那些設備。”張主任提議。

顧律沒意見，“行，我們過去。”

三人換上深棕色的實驗服，戴上一次性口罩，在張主任的帶領下推開寬禁帶半導體實驗室的門走進去。

寬禁帶半導體是自第一代元素半導體材料（si）和第二代化合物半導體材料（gaas、gap、inp等）之后，發展起來的第三代半導體材料。

該類半導體之所以被稱之為寬禁帶半導體，是因為其禁帶寬度較寬。

第一第二代半導體的禁帶寬度一般在1.0ev到1.5ev左右。

但寬禁帶半導體的禁帶寬度卻是大于2ev，這類材料主要包括sic（碳化硅）、cbn（立方氮化硼）、gan（氮化鎵、）aln（氮化鋁）、znse（硒化鋅）以及金剛石等。

禁帶寬度對于半導體器件性能有著舉足輕重的影響，它直接決定著器件的耐壓和最高工作溫度。

禁帶寬度越寬，耐壓和耐高溫的性能越強。

因此，在諸多性能上，第三代的寬緊帶半導體是要優于第一代和第二代的。