第四百六十二章 EUV

重寫科技格局 第四百六十二章 EUV

9月初，孟謙又去了一趟霓虹國，跟索尼簽署了一份秘密文件，達成了戰術同盟協議，兩家公司將攜手一起先干三星，當大家出現利益沖突的時候，一切以先干三星為主，之后索尼跟大風集團再競爭。

雖然此時的三星其實已經很難倒塌了，畢竟有高麗國撐著，但能利用各種方法壓一壓三星的發展也是好的，因為孟謙最在意的并不是三星有多強大，而是未來自己跟米國全面對抗的時候，三星這個家伙很可能會像當初捅霓虹國一樣來捅華夏。

這一世，至少，絕對不能讓三星在華夏影響太深。

這次來霓虹國，除了跟索尼談戰術合作的事情，孟謙還有一件很重要的事情要做，這個事情跟光刻機有關。

米國這邊由英特爾牽頭開始搞大規模EUV光刻機研究已經有一段時間，時不時的冒出一些消息來讓人覺得下一代光刻機是米國的...

不過在下一代光刻機的發展上孟謙確實也要多上點心了，最近滬上微電子那邊給孟謙傳來了很多壞消息，好多技術都搞不定。

所以，孟謙需要加快一些事情的發展。

這里就不得不稍微提一點關于EUV的歷史，孟謙以前看過一篇文章說：EUV光刻技術在1999年被國際半導體技術發展路線圖確定為下一代光刻首選技術，這就意味著，誰如果不參與到EUV光刻技術研發，誰就將在下一代芯片競賽中自動棄權。

為了確定這個事情，孟謙好不容易找到了1999年的國際半導體技術發展路線圖原文，壓根沒有這句話，連類似的話也沒有...

相反，按照當時的記載，1999年那會兒關于下一代光刻技術的猜想有四個，分別是157nmF2激光，電子束投射(EPL)，離子投射(IPL)以及EUV和X光，因為EUV屬于軟X光，所以和X光的研究算在一個領域。

當時研究全球研究EUV的企業和機構確實超過200家，但研究157nmF2激光的企業和機構超過300家...

而且絕大部分企業和機構都是多個方向一起研發，尤其是IBM，四個方向一起研發。

當時搞157nmF2激光搞得最好的就是SVG跟尼康，而當時搞EUV搞的最好，也是投入最大的企業，正是英特爾，這也是為什么最近英特爾跳出來高喊要靠EUV打造下一代光刻機。

在這個年代，英特爾率領的聯盟就是EUV第一梯隊，而第二梯隊是哪呢，從投入來說，第二梯隊看似是歐洲，但從成果來說，第二梯隊肯定是霓虹國，因為霓虹國很早就開始研究EUV了，只是中間略有斷層，斷層的幾年霓虹國重點研發在X光上，但基礎還在，后面撿起來后發展的也很快，而在霓虹對EUV研究最深的，也是尼康。

所以尼康在后世自嘲道，自己在20年前就掌握了EUV關鍵技術，可惜的是，那個時候的基礎還不足以撐起EUV光刻機的發展。

這話其實說的也沒錯，人家ASML在沒有競爭對手的情況下搞EUV光刻機搞了十年，尼康在這個年代搞EUV光刻機能搞起來才見鬼了。

這就是孟謙為什么一定要尼康死的原因，孟謙要尼康這家公司！

所以在跟索尼達成戰術聯盟后，孟謙馬上提出了一個需求，那就是在相機領域的進一步合作。尼康最近想要靠相機翻身的事情大家都知道了，而且曾經的尼康確實靠相機撐過了這幾年。

所以孟謙絕對不能給尼康機會，喊上了索尼跟佳能進一步加深相機的合作研發，為此孟謙主動承擔了大量研發費用，上來就先砸了10個億軟妹幣，索尼跟佳能加起來也就跟了5個億，但研發成果大家共享。

其實大風集團本身依靠軍方技術的下放正快速提升著自己在工藝，鏡頭等領域的水平，這次還要這么拉上索尼跟佳能，確實就是因為想最大程度的打壓尼康。

另外，除了打壓尼康，大風集團現在獨自對抗英特爾發起的聯盟顯然有些吃力，所以孟謙也需要一個聯盟。

這次來霓虹國，孟謙帶著關于EUV光刻機的部分研究資料，過來拉聯盟來了。

至于目標，自然是霓虹國在EUV領域的領頭企業，包括三菱，霓虹國電氣股份有限公司，霓虹國電報電話公司，東芝等，而作為現在全球三大浸沒式光刻機生產廠家的佳能，雖然在EUV領域沒那么厲害，但肯定也入局了，而且是最積極的那個，幫著孟謙“忽悠”自家企業。

畢竟佳能好不容易躋身全球光刻機第一梯隊了，不想被擠下來了啊。

而為了不被擠下來，現在佳能只能跟著大風集團統一戰線，如果這個時候跟大風集團搞分裂，那就等著被米國弄死吧。

有大風集團帶來的資料加上佳能拼了老命的牽線搭橋，孟謙最終成功成立了華霓EUV研發同盟，除了霓虹國這邊十幾家企業和機構，華夏這邊同樣有大風集團，滬上微電子，清華，長光所，45所等十多家企業和機構。

消息一出來，尼康是第一個坐不住的，第一時間跑去

霓虹國半導體協會投訴，你們搞EUV居然不帶上我尼康？你們是不是腦子有問題？

然而，根本沒人搭理尼康，這聯盟是人家大風集團跟佳能牽頭的，就是不想帶你怎么了...

而在聯盟消息出來的時候，米國那邊自然也做出了反應，英特爾現在也沒辦法阻止兩國的合作，但是英特爾高調的跳出來表示他們在EUV領域取得了巨大的突破，還出了一份可以公開的論文，上面有寫到EUV光刻機的三大難題，其中最大的問題就是光源。

把光源的研究寫的非常非常難，雖然說的也是實話，EUV穿透物體時散射吸收都非常厲害，這使得光刻機需要非常非常強的光源，這個難度是巨大的。連空氣都能吸收EUV，所以機器內部還得做成真空的。

而且由于光刻精度是幾納米，EUV對光的集中度要求極高，相當于拿個手電照到月球光斑不超過一枚硬幣。反射要求鏡子長30cm起伏不到0.3nm，這相當于是燕京到滬上做根鐵軌起伏不超過1毫米。

英特爾這些公開論文就是要讓世人明白EUV光刻機有多難，然后說英特爾取得了重大突破，至于什么突破，含糊其辭，用一句機密就解釋了。

結果就在英特爾發公告的這一天，華夏突然宣布，將KBFF晶體列為戰略資源，不再對外出口...

孟謙看著新聞，突然有些莫名的興奮，“看看誰先搞出EUV光刻機吧...”